三星电子上周在其年度投资者论坛上表示，该公司将于明年推出低延迟广域DRAM，旨在将人工智能应用程序的功率效率比常规DRAM提高70%。

　　LLW DRAM将成为其旗舰下一代芯片，并嵌入扩展现实耳机等人工智能设备中。三星的目标是在五年内将人工智能芯片代工厂的销售额提高到其代工厂总销售额的50%左右。

　　与现有的DRAM相比，新的AI芯片将通过增加半导体电路中的输入/输出端子（I/O）数量来提高数据处理速度和容量。

　　该公司在IR活动中表示，明年，这家全球排名第一的存储芯片制造商将推出先进的三维（3D）芯片封装技术，包括最先进的3.5D封装。

　　它通过将中央处理器（CPU）和图形处理单元（GPU）等处理器与高带宽存储器（HBM）芯片垂直堆叠，提高了电子设备的处理速度和数据处理能力。

　　三星还将进一步提高其3纳米芯片处理技术，该技术目前是业界最小、最先进的工艺节点，适用于人工智能应用。

　　去年，它开始为无晶圆厂客户大规模生产3纳米芯片，这是全球第一个，领先于台积电。

　　今年早些时候，据说三星已将其第一代3纳米工艺技术的产量大幅提高到“完美水平”

　　三星电子代工半导体业务Samsung Foundry的副总裁郑基邦在IR活动上对投资者表示：“我们可以每两年将（存储芯片）性能提高2.2倍。”

　　在投资者论坛上，三星推出了GAA、dram和包装（GDP）的首字母缩写，作为其新战略的关键词。

　　GAA是gate all around的缩写，可以降低电路宽度为3nm或以下的处理器的漏电流。这是三星开发下一代DRAM和封装技术的关键架构。

　　三星正在与特斯拉合作，开发这家电动汽车制造商的下一代全自动驾驶（FSD）芯片，用于5级自动驾驶汽车。

　　三星最近聘请Alphabet自动驾驶技术部门Waymo的设计负责人YoonJung Ahn担任执行副总裁，领导设计管理中心。

　　这家芯片制造商还计划开发一款4纳米人工智能加速器，这是一款用于处理人工智能工作负载的高性能计算机器。

　　根据市场研究公司Omdia的数据半导体市场今年预计为553亿美元，预计到2027年将达到1120亿美元。

　　三星电子上周在其年度投资者论坛上表示，该公司将于明年推出低延迟广域DRAM，旨在将人工智能应用程序的功率效率比常规DRAM提高70%。

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