世界先进积体电路股份有限公司申请半导体装置及其形成方法专利提高装置性能
金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，世界先进积体电路股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其形成方法”的专利，公开号 CN 118943086 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明实施例提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包括基板、缓冲层、通道层、阻挡层以及栅极结构。缓冲层位于基板上；通道层位于缓冲层上；阻挡层位于通道层上；栅极结构设置于阻挡层上，栅极结构包括栅极层、栅极电极层、第一保护图案层以及第二保护间隔物。栅极电极层部分覆盖栅极层；第一保护图案层完全覆盖栅极电极层的第一顶面；第二保护间隔物覆盖栅极电极层的第一侧面、第一保护图案层的第二侧面以及未被栅极电极层覆盖的部分栅极层，第二保护间隔物与栅极层之间的第一界面和栅极电极层与栅极层之间的第二界面共平面。
