美商矽成积体电路取得FinFET 堆叠栅存储器的形成方法专利
金融界 2024 年 10 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，美商矽成积体电路股份有限公司取得一项名为“FinFET 堆叠栅存储器的形成方法”的专利，授权公告号 CN 112786598 B，申请日期为 2020 年 8 月。
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