12 月 26 日消息，据 MoneyDJ，台积电明年的 3nm NTO芯片设计定案（New Tape-Outs，NTOs）数量激增，除了传统客户联发科、AMD、英伟达、英特尔、高通外，特斯拉也确认加入 N3P 客户名单，预计将以此生产次世代 FSD 智驾芯片。

　　台积电蓝图显示，N3P 制程计划 2024 年投产 ，与 N3E 相比性能提升 5%，功耗降低 5%~10%，芯片密度提高 1.04 倍。台积电表示，N3P 的 PPA 成本和技术成熟度均优于 Intel 18A 制程。

　　IT之家查询发现，特斯拉此前已多次在台积电下单，例如7nm 制程的 DojoD1 芯片、5nm 制程的 HW 4.0 芯片。

　　分析师预计，随着第五代 FSD 芯片归于台积电N3P名单，特斯拉有望成为台积电第七大客户，为其营收增长带来新动力。

　　关键字：3nm引用地址：消息称台积电 2024 年 3nm 芯片激增，特斯拉将成为 N3P 客户

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　　现在移动处理器工艺不断精进，已经达到了10nm工艺制程，甚至7nm也很快会与我们见面，但这还不是极限。台积电最近透露了公司关于3nm工艺晶圆的动向。 根据一次电话会议的记录显示，台积电创始人张忠谋表示台积电将会在2020年建设3nm晶圆工厂，而且这个工厂不会到美国或者其他地方，而是坚持在台湾地区。 此前有消息称，台积电由于更高工艺的晶圆工厂需要更大面积的土地以及水电等周边运营支持，所以可能无法在台湾本土建厂，正值美国加大吸引力度，所以有可能到美国开设新厂。但这次张忠谋的回应彻底击溃了这种说法，同时他表示台积电相信当地政府可以帮助他们解决好这个问题。 按照此前的预计，3nm晶圆工厂的建设预计要花费200亿美元，有望拉动台

　　尽管日韩贸易冲突持续延烧，三星电子原定9月在日本东京的晶圆代工论坛将如期举行。三星届时预料将展示自家先进制程技术，并提供用于生产3纳米以下芯片，名为「环绕闸极」（GAA）技术的制程套件。三星据称在GAA技术领先全球晶圆代工龙头台积电一年，更超前英特尔（Intel）两到三年。 南韩媒体BusinessKorea报导，三星28日宣布，2019年「三星晶圆代工论坛」（SFF）将如期于9月4日在东京举行，且已于26日在网站上开始受理报名。在日韩贸易紧张不断升高之际，业界正怀疑这场论坛能否如期在东京举行，三星这项决定消弭了外界的疑虑。 产业专家分析，三星想要传达的讯息是，尽管面临日本的「断货」威胁，三星电子旗下的晶圆代工事业不受中断

　　据digitimes报道，业内人士透露，台积电和三星在各自3nm制程技术的开发过程中都遇到了不同但关键的瓶颈。 报道称，台积电和三星因此将不得不推迟3nm制程工艺的开发进度。 台积电董事长刘德音此前表示，台积电今年营收持续创新高，在3nm领先布局，于南科的累计投资将超过2万亿元新台币（下同），目标是3nm量产时， 12英寸晶圆月产能超过60万片。台积电规划，3nm于2022年量产。 而三星也全力发展晶圆代工业务，规划投入1,160亿美元，目标3纳米制程2022年量产，与台积电同步，是两强近年先进制程竞逐赛中，最接近的一次。

　　开发双双受阻，量产时间恐推迟 /

　　三星周四表示，它有望在本季度（即未来几周内）使用其 3GAE （早期 3 纳米级栅极全能）制造工艺开始大批量生产。该公告不仅标志着业界首个3nm级制造技术，也是第一个使用环栅场效应晶体管（GAAFET）的节点。 三星在财报说明中写道：“通过世界上首次大规模生产 GAA 3 纳米工艺来增强技术领先地位 。”（Exceed market growth by sustaining leadership in GAA process technology,adopt pricing strategies to ensure future investments, and raise the yield and portion of o

　　芯片将量产，三星造？ /

　　8月25日，台积电总裁魏哲家在台积电技术研讨会上谈到了台积电未来的4nm工艺、3nm工艺以及全新的N12e特殊制程。 魏哲家指出，N5的升级版工艺N5P将于2021年量产。正如基于N7工艺发展出N6工艺一样，台积电还基于N5工艺发展出了N4工艺，满足下游广泛的产品需求。 据魏哲家介绍，N4在速度、功耗和密度上有所提升，并且与N5有100%的IP相容性，因而能够沿用N5既有的设计基础架构，加速产品创新，N4将于2021年第四季度开始试产。 另外，魏哲家还了N3工艺的进展情况。他表示，N3技术具备创新的微缩特征，与N5相比，速度可以提升15%、功率降低30%、逻辑密度增加70%，N3预计于2021年进行试产，并于2022年下半

　　在刚刚闭幕的2016年ITF(IMEC全球科技论坛)上，世界领先的独立纳米技术研究机构——IMEC的首席执行官Luc van den Hove指出，“scaling(尺寸缩小)还会继续，我不仅相信它将会继续，而且我认为它不得不继续。” 他认为，目前从技术层面来说，FINFET、Lateral Nanowire(横向纳米线) 和Vertical Nanowire(纵向纳米线)已经可以帮我们持续推进到3nm的制程节点。EUV光刻技术将是未来的唯一选择。根据过去几个月的进展，他相信EUV光刻技术能够进入制造业。 在过去的几十年中，推动全球发展的正是那些敢于不走寻常路的公司。可以看到，Uber出现了，它为全球提供了最多的租车

　　自华为发布麒麟 9000 处理器以来仅几个月的时间，现在一个爆料者披露了有关华为下一代旗舰麒麟处理器的详细信息，报道称其为麒麟 9010。 有关新款麒麟处理器的信息来自爆料者@ RODENT950，根据今天发布的一条推文，华为下一代麒麟处理器名为麒麟 9010，它将是 3nm 芯片。 麒麟 9000 作为首款用于 Android 设备的 5nm 处理器推出，虽然大多数人都认为华为会坚持使用 5nm 工艺至少两年，但这次爆料表明其下一代移动芯片将跃升至 3nm，如果一切顺利的话，应该会在今年推出，并可能在第四季度出现在 Mate 50 系列中。 据报道，三星将跳过 4nm 工艺，快进至 3nm。预计苹果也将宣布由台积电生

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