无锡SK海力士集成电路产业园计划于8月开工建设
据无锡日报报道，位于无锡高新区的SK海力士集成电路产业园计划今年8月开工建设。
据悉，该产业园将以SK海力士为龙头，挖掘园区对晶圆制造供应链企业的吸引力，集聚国内外装备、关键零部件、研发培训中心等，加快形成集成电路产业链企业群，目前已接洽产业和科技项目37个，其中2个即将落地。
2020年1月16日，SK海力士与无锡高新区签署投资合作协议共建集成电路产业园。项目总投资20亿元，重点围绕SK海力士上下游产业链，着力打造以SK海力士为龙头、各类优质配套企业和研发培训中心聚集的半导体产业总部经济集群。
封闭式的DRAM市场俨然成为“暴利”游戏，前两大供应商 三星 电子(Samsung Electronics)、 SK海力士 (SK Hynix)眼看市场2018年是继续缺货，加上大陆将在2019年加入生产之列后，基于与其别人赚、不如自己赚的道理，陆续启动扩产计划，且顺手斩断大陆的“储存梦”。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 SK海力士 日前与无锡市政府签约，计划投资86亿美元扩充产能，估计新厂房每月产能为20万片，制程技术锁定以10奈米世代，且由SK集团副会长暨 SK海力士 代表理事CEO朴星昱亲自到无锡考察，与市长汪泉见面，该厂房预计2018年底完工，在2019年搬入机台设备，单月产能初期锁定12万片。
据韩联社8月25日报道，韩国SK海力士25日在京畿道利川市总部举行世界最大规模半导体工厂M14竣工仪式。SK海力士方面表示，计划在京畿道利川和忠清北道清州再建两家工厂，包括M14在内，总投资规模将达46万亿韩元(约合人民币2494亿元)。 M14将专门生产300毫米芯片，总面积达5.3万平方米。在单一建筑中，M14工厂拥有全球规模最大的洁净室，总面积达6.6万平方米，每月最多可生产20万张300毫米晶片。 SK海力士计划在2024年前在京畿道利川和忠清北道清州再新建两家工厂，对这两家工厂投资31万亿韩元，加上对M14投资的15万亿韩元，总投资规模将达46万亿韩元。 据首尔大学经济研究所分析，M14预计
据国际半导体产业协会(SEMI)最新指出，2017年全球半导体产值将首度突破4000亿美元的大关，而2018年仍会是乐观成长的一年，预估半导体产值将成长4%-8%，且2019年产值将可望挑战5000亿美元关口。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 SEMI台湾区产业研究资深经理曾瑞榆表示，2017年是全球半导体产值破纪录的一年，年成长率达20%，主因是存储器强劲成长的带动，其中，DRAM产值年成长75%、储存型闪存产值(NAND Flash)年成长45%、其他IC产值年成长9%。 三星 、 海力士 、美光扩产 ，今年DRAM产能成长挑战10% DRAM和 NAND Flash是这两年全球半
随着传统的半导体制造技术在NAND flash领域即将达到极限，存储器芯片厂商纷纷开始采用3D生产技术以提高产能。 根据IHS的显示，到2017年，全球近三分之二（65.2%）的快闪存储器芯片将采用3D技术，而在2013年这一比例仅为1%。2014年采用3D技术的快闪存储器芯片比例将增至5.2%，2015年则将飙升至30.2%。到了2016年这一比例将扩大至49.8%，几乎占整个快闪存储器市场的一半。 “普遍认为采用传统平面半导体技术的NAND flash再经过一代或两代就将达到理论极限，”IHS内存和存储高级分析师Dee Robinson表示。“随着平面印刷技术进一步萎缩，NAND的性能和可靠性将仅适合极低成本的
海力士半导体(Hynix)宣布，将与斗山电子(DoosanElectro-Materials)共同开发可缩小半导体印刷电路板(PCB)体积近25%的新PCB原料。利用此技术，使用Tenting(蓬盖式)制程也可缩小半导体封装基板的铜线μm，也将可使PCB基板面积随之缩小。为实现25μm的线宽，已采用MSAP(ModifiedSemi-AddictiveProcess)制法，然此制法存在较原始方法制程复杂且困难，所需费用也增加20%的问题。 海力士和斗山为解决此问题，决定共同开发新原料及适合的制作方法。新原料在使用Tenting制程进行蚀刻时，可将原料表面粗糙发生机率降至最低，使其可呈现微细的线路
SK海力士公布的第二季度财报显示，营收年减38%至6.5万亿韩元，营业净利较去年同期狂减89%至6,380亿韩元(约合5.419亿美元)，净利也从去年同期的4.3万亿韩元大减88%至5,370亿韩元。 由于受到存储器跌价和日韩贸易纠纷的双重打击， SK 海力士表示，需求复苏程度低于预期，报价跌幅也比想像还要深，所以将会有弹性地调整生产与投资计划，应对充满挑战的市场环境。 SK 海力士进一步指出，明(2020)年的投资额将明显低于今年，DRAM产能也将从今年第四季度开始调降，且今年NAND闪存芯片投入的降幅将会从之前的10%调整至15%，韩国两座晶圆厂的扩产时间也会重新考虑。 由于供给过剩的状况持续，存储器价格从去年年底
据BusinessKorea报道，SK海力士今（23）日公布的财报显示，2020年第二季度合并营收为8.607万亿韩元，营业利润1.947万亿韩元，净利润1.264万亿韩元。 图源：BusinessKorea 尽管新冠疫情增加了商业环境的不确定性，但SK海力士营业收入和净利润环比分别增长了20%和143%，同比分别增长了33%和205%。原因是对服务器内存的需求激增保持了良好的内存价格，而包括主要产品收益率提高在内的诸多因素降低了成本。 对于DRAM，尽管移动客户的需求持续疲软，但由于市场的需求和价格保持稳定，SK海力士设法增务器和图形产品的销量。因此，DRAM的出货量和平均售价分别环比增长了2%和15%；而对于NAND
2020年Q2营业利润1.947万亿韩元！同比增205% /
日本东芝和韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)近日表示，双方已签订交叉授权和产品供应协议，结束了与DRAM和NAND技术相关的专利权官司。但协议细节没有得到确认，据称其中包括海力士向东芝支付现金。 两家公司之间的官司要追溯到2004年11月。在两家公司未能就更新原有的专利授权协议之后，当时东芝率先在美国德州和加州联邦地方法院控告海力士。东芝还请求美国国际贸易委员会(ITC)禁止美国进口海力士的某些产品，之后海力士对东芝提出反诉。去年12月，美国国际贸易委员会(ITC)裁定，没有发现海力士侵犯东芝的专利权。东芝当时表示要提起上诉。 东芝副总裁兼半导体部门执行副总裁Shozo Saito在声明中表示：“签署协
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