9游 九游体育金融界 2024 年 7 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“集成电路及其形成方法“，公开号 CN1.2，申请日期为 2024 年 3 月。

　　专利摘要显示，集成电路包括 NMOS 全环栅（GAA）晶体管和 PMOS GAA 晶体管。单个栅极金属用于两个晶体管。通过包括沟道区域周围的栅极金属的第一层、栅极金属的第一层周围的半导体层以及半导体层上的栅极金属的栅极填充层，将有效功函数赋予 NMOS 晶体管。在 PMOS 晶体管中，栅极金属的栅极填充层位于栅极电介质上，而没有介于中间的半导体层。